AO4932 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO4932
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12(20) V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11(8) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.4(3.5) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 128(110) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125(0.019) Ohm
Тип корпуса: SO-8
AO4932 Datasheet (PDF)
ao4932.pdf
AO4932Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4932 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 11A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)
ao4932.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4932 (KO4932)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 11 A (VGS = 10V) 0.151.50 RDS(ON) 12.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 15m (VGS = 4.5V)1 D2 5 S2/D1 6 S2/D12 D2SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 S2/D13 G1N-Channel 28 G24 S1 VDS (V) = 30V ID = 8 A
ao4938.pdf
AO493830V Dual N-Channel MOSFETTMSRFET TM SRFETGeneral Description Product SummaryThe AO4938 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 8.8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RD
ao4938.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4938 (KO4938)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 8.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 16m (VGS = 10V) RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V)1 D2 5 S2/D1 6 S2/D12 D2SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 S2/D13 G18 G2N-Channel 2 4 S1 VDS (V) = 30V ID = 8 A (
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918