AO4948 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4948
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8(8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8(3.5) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308(110) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016(0.019) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4948

AO4948 Datasheet (PDF)

..1. Size:447K aosemi
ao4948.pdf

AO494830V Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4948 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 8.8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON) RDS(O

..2. Size:4066K kexin
ao4948.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4948 (KO4948)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 8.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 16m (VGS = 10V)1 S1 5 D2 RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V)6 D22 G17 D1SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode 3 S28 D14 G2N-Channel 2 VDS (V) = 30V ID = 8 A (VGS = 10V

9.1. Size:339K aosemi
ao4940.pdf

AO4940Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4940 uses advanced trench technology to provide FET1 FET2excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID = 9.1A ID=7.8A (VGS = 10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

9.2. Size:2415K kexin
ao4940.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4940 (KO4940)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 9.1 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 15m (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 4.5V)1 D2 5 S2/D1 6 S2/D12 D2SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 S2/D13 G18 G2N-Channel 2 4 S1 VDS (V) = 30V ID = 7.8 A

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: