AO4948 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO4948
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8(8) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.8(3.5) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 308(110) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016(0.019) Ohm
Тип корпуса: SO-8
AO4948 Datasheet (PDF)
ao4948.pdf
AO494830V Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4948 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 8.8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON) RDS(O
ao4948.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4948 (KO4948)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 8.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 16m (VGS = 10V)1 S1 5 D2 RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V)6 D22 G17 D1SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode 3 S28 D14 G2N-Channel 2 VDS (V) = 30V ID = 8 A (VGS = 10V
ao4940.pdf
AO4940Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4940 uses advanced trench technology to provide FET1 FET2excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID = 9.1A ID=7.8A (VGS = 10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)
ao4940.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4940 (KO4940)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 9.1 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 15m (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 4.5V)1 D2 5 S2/D1 6 S2/D12 D2SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 S2/D13 G18 G2N-Channel 2 4 S1 VDS (V) = 30V ID = 7.8 A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FDP075N15AF102
History: FDP075N15AF102
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918