AO5401E Todos los transistores

 

AO5401E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO5401E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: SC89-3

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AO5401E datasheet

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AO5401E

AO5401E P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO5401E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -0.5 A (VGS = -4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

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AO5401E

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AO5401E

AO5404E N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO5404E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.5 A (VGS = 4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

 9.2. Size:1735K  cn vbsemi
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AO5401E

AO5404E www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested 0.270 at VGS = 4.5 V 0.75 20 1.4 nC 0.390 at VGS = 2.5 V 0.70 APPLICATIONS Smart phones, tablet PC s - DC/DC converters - Boost converters - Load switch, OVP switch SC-75 D G 1 G 3 D S 2 Top View S

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