AO5401E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AO5401E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: SC89-3
Аналог (замена) для AO5401E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AO5401E даташит
ao5401e.pdf
AO5401E P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO5401E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -0.5 A (VGS = -4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)
tpao5401el.pdf
WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW WWW.TECHPUBLIC.COM.TW
ao5404e.pdf
AO5404E N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO5404E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.5 A (VGS = 4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)
ao5404e.pdf
AO5404E www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested 0.270 at VGS = 4.5 V 0.75 20 1.4 nC 0.390 at VGS = 2.5 V 0.70 APPLICATIONS Smart phones, tablet PC s - DC/DC converters - Boost converters - Load switch, OVP switch SC-75 D G 1 G 3 D S 2 Top View S
Другие IGBT... AO4914, AO4922, AO4924, AO4932, AO4938, AO4940, AO4948, AO4952, IRFP250N, AO5404E, AO5600E, AO5800E, AO5803E, AO5804E, AO6400, AO6401, AO6401A
History: AON5820
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491





