AO5404E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO5404E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC89-3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO5404E

AO5404E Datasheet (PDF)

..1. Size:189K aosemi
ao5404e.pdf

AO5404EN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5404E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.5 A (VGS = 4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

..2. Size:1735K cn vbsemi
ao5404e.pdf

AO5404Ewww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.270 at VGS = 4.5 V0.7520 1.4 nC0.390 at VGS = 2.5 V0.70APPLICATIONS Smart phones, tablet PCs- DC/DC converters- Boost converters- Load switch, OVP switchSC-75 DG1G3 DS 2Top ViewS

0.1. Size:392K cn tech public
tpao5404el.pdf

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9.1. Size:153K aosemi
ao5401e.pdf

AO5401EP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5401E/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge andID = -0.5 A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V. ThisRDS(ON)

9.2. Size:358K cn tech public
tpao5401el.pdf

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