AO5600E Todos los transistores

 

AO5600E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO5600E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6(0.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3(150) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8(17) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65(0.8) Ohm
   Paquete / Cubierta: SC89-6
 

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AO5600E Datasheet (PDF)

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AO5600E

AO5600EComplementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5600E/L uses advanced trench technology n-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V)charge. The complementary MOSFETs may be usedRDS(ON)

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History: IRL3716

 

 
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