AO5600E Todos los transistores

 

AO5600E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO5600E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6(0.5) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.3(150) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8(17) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65(0.8) Ohm

Encapsulados: SC89-6

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AO5600E datasheet

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AO5600E

AO5600E Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO5600E/L uses advanced trench technology n-channel MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V) charge. The complementary MOSFETs may be used RDS(ON)

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