Справочник MOSFET. AO5600E

 

AO5600E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO5600E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6(0.5) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.3(150) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8(17) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65(0.8) Ohm
   Тип корпуса: SC89-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO5600E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:948K  aosemi
 ao5600e.pdf pdf_icon

AO5600E

AO5600EComplementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5600E/L uses advanced trench technology n-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V)charge. The complementary MOSFETs may be usedRDS(ON)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: DK48N75 | SVSP11N60SD2TR | S10H08RP | HCS90R1K6S | PMK30EP | AUIRLR3410TRL | BR2N7002AK2

 

 
Back to Top

 


 
.