Справочник MOSFET. AO5600E

 

AO5600E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO5600E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6(0.5) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.3(150) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8(17) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65(0.8) Ohm
   Тип корпуса: SC89-6

 Аналог (замена) для AO5600E

 

 

AO5600E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:948K  aosemi
 ao5600e.pdf

AO5600E AO5600E

AO5600EComplementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5600E/L uses advanced trench technology n-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V)charge. The complementary MOSFETs may be usedRDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK1796

 

 
Back to Top