Справочник MOSFET. AO5600E

 

AO5600E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO5600E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6(0.5) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3(150) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8(17) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65(0.8) Ohm
   Тип корпуса: SC89-6
 

 Аналог (замена) для AO5600E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO5600E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:948K  aosemi
 ao5600e.pdf pdf_icon

AO5600E

AO5600EComplementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO5600E/L uses advanced trench technology n-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V)charge. The complementary MOSFETs may be usedRDS(ON)

Другие MOSFET... AO4924 , AO4932 , AO4938 , AO4940 , AO4948 , AO4952 , AO5401E , AO5404E , K3569 , AO5800E , AO5803E , AO5804E , AO6400 , AO6401 , AO6401A , AO6402 , AO6402A .

History: S10H08RP | DK48N75 | CPH6311 | KQB2N50 | 2N7002SGP | SM3419NHQA | RS1G180MN

 

 
Back to Top

 


 
.