AO5600E - описание и поиск аналогов

 

AO5600E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO5600E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6(0.5) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.3(150) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8(17) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65(0.8) Ohm

Тип корпуса: SC89-6

Аналог (замена) для AO5600E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO5600E даташит

 ..1. Size:948K  aosemi
 ao5600e.pdf pdf_icon

AO5600E

AO5600E Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO5600E/L uses advanced trench technology n-channel MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V) charge. The complementary MOSFETs may be used RDS(ON)

Другие MOSFET... AO4924 , AO4932 , AO4938 , AO4940 , AO4948 , AO4952 , AO5401E , AO5404E , IRF9540 , AO5800E , AO5803E , AO5804E , AO6400 , AO6401 , AO6401A , AO6402 , AO6402A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.