FSS430D Todos los transistores

 

FSS430D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSS430D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

FSS430D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:46K  intersil
 fss430.pdf pdf_icon

FSS430D

FSS430D, FSS430R3A, 500V, 2.70 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 3A, 500V, rDS(ON) = 2.70 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)

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History: 2SK3403B | ET6309 | 2SK4066-1E | AP2312GN | IRF8852 | NTMFD5C680NL | HGB037N10S

 

 
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