FSS430D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSS430D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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FSS430D datasheet

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FSS430D

FSS430D, FSS430R 3A, 500V, 2.70 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 3A, 500V, rDS(ON) = 2.70 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)

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