FSS430D - аналоги и даташиты транзистора

 

FSS430D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FSS430D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для FSS430D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS430D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:46K  intersil
 fss430.pdf pdf_icon

FSS430D

FSS430D, FSS430R3A, 500V, 2.70 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 3A, 500V, rDS(ON) = 2.70 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)

Другие MOSFET... FSS230D , FSS230R , FSS234D , FSS234R , FSS23A4D , FSS23A4R , FSS23AOD , FSS23AOR , 18N50 , FSS430R , FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , FSS923AOD .

History: NTMFD024N06C | HMS10N60K | IPD135N03L | CEP6086 | HY3215PS | BUK7M9R5-40H | KND3508A

 

 
Back to Top

 


 
.