AO7600 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO7600
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9(0.6) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.57 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4(6.5) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3(0.55) Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO7600

AO7600 Datasheet (PDF)

..1. Size:140K aosemi
ao7600.pdf

AO7600Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7600/L uses advanced trench n-channel p-channeltechnology MOSFETs to provide excellent VDS (V) = 20V -20VRDS(ON) and low gate charge. The ID = 0.9A (VGS=4.5V) -0.6A (VGS=-4.5V) complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, an RDS(ON) RDS(ON) inverter, a

..2. Size:1744K cn vbsemi
ao7600.pdf

AO7600www.VBsemi.twN- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching0.155 at VGS = - 4.5 V - 2.

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: