AO7600 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO7600
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9(0.6) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4(6.5) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3(0.55) Ohm
Encapsulados: SC70-6
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AO7600 datasheet
ao7600.pdf
AO7600 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO7600/L uses advanced trench n-channel p-channel technology MOSFETs to provide excellent VDS (V) = 20V -20V RDS(ON) and low gate charge. The ID = 0.9A (VGS=4.5V) -0.6A (VGS=-4.5V) complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, an RDS(ON) RDS(ON) inverter, a
ao7600.pdf
AO7600 www.VBsemi.tw N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated N-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching 0.155 at VGS = - 4.5 V - 2.
Otros transistores... AO7408 , AO7410 , AO7411 , AO7412 , AO7413 , AO7414 , AO7415 , AO7417 , 2N60 , AO7800 , AO7801 , AO8801 , AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 .
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