AO7600 - описание и поиск аналогов

 

AO7600. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO7600

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9(0.6) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4(6.5) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3(0.55) Ohm

Тип корпуса: SC70-6

Аналог (замена) для AO7600

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO7600 даташит

 ..1. Size:140K  aosemi
 ao7600.pdf pdf_icon

AO7600

AO7600 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO7600/L uses advanced trench n-channel p-channel technology MOSFETs to provide excellent VDS (V) = 20V -20V RDS(ON) and low gate charge. The ID = 0.9A (VGS=4.5V) -0.6A (VGS=-4.5V) complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, an RDS(ON) RDS(ON) inverter, a

 ..2. Size:1744K  cn vbsemi
 ao7600.pdf pdf_icon

AO7600

AO7600 www.VBsemi.tw N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated N-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching 0.155 at VGS = - 4.5 V - 2.

Другие MOSFET... AO7408 , AO7410 , AO7411 , AO7412 , AO7413 , AO7414 , AO7415 , AO7417 , 2N60 , AO7800 , AO7801 , AO8801 , AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.