AO8820 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO8820
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1500 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Encapsulados: TSSOP-8
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AO8820 datasheet
ao8820.pdf
AO8820 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AO8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7A voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)
ao8822.pdf
AO8822 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AO8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7A voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AO8801 , AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , IRF830 , AO8822 , AO8830 , AO9926B , AO9926C , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 .
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