AO8820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO8820
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1500 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO8820

AO8820 Datasheet (PDF)

..1. Size:200K aosemi
ao8820.pdf

AO882020V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO8820 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7Avoltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:197K aosemi
ao8822.pdf

AO882220V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO8822 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7Avoltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

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