AO8820 - описание и поиск аналогов

 

AO8820. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO8820

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1500 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для AO8820

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO8820 даташит

 ..1. Size:200K  aosemi
 ao8820.pdf pdf_icon

AO8820

AO8820 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AO8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7A voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:197K  aosemi
 ao8822.pdf pdf_icon

AO8820

AO8822 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AO8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7A voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AO8801 , AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , IRF830 , AO8822 , AO8830 , AO9926B , AO9926C , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 .

History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.