AO8820 - аналоги и даташиты транзистора

 

AO8820 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AO8820
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1500 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для AO8820

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO8820 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  aosemi
 ao8820.pdf pdf_icon

AO8820

AO882020V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO8820 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7Avoltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:197K  aosemi
 ao8822.pdf pdf_icon

AO8820

AO882220V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO8822 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7Avoltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AO8801 , AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , IRF830 , AO8822 , AO8830 , AO9926B , AO9926C , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 .

 

 
Back to Top

 


 
.