AO8830 Todos los transistores

 

AO8830 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO8830

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 972 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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AO8830 datasheet

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AO8830

AO8830 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO8830/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 6 A (VGS = 10V) operation with gate voltages as low as 1.8V while RDS(ON)

Otros transistores... AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , AO8820 , AO8822 , IRF9640 , AO9926B , AO9926C , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 , AOB11N60 , AOB11S60 .

 

 

 

 

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