AO8830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO8830
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 972 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO8830

AO8830 Datasheet (PDF)

..1. Size:195K aosemi
ao8830.pdf

AO8830Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO8830/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 6 A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 1.8V while RDS(ON)

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Liste

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