AO8830 - описание и поиск аналогов

 

AO8830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO8830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 972 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для AO8830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO8830 даташит

 ..1. Size:195K  aosemi
 ao8830.pdf pdf_icon

AO8830

AO8830 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO8830/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 6 A (VGS = 10V) operation with gate voltages as low as 1.8V while RDS(ON)

Другие MOSFET... AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , AO8820 , AO8822 , IRF9640 , AO9926B , AO9926C , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 , AOB11N60 , AOB11S60 .

History: 3SK59

 

 

 

 

↑ Back to Top
.