Справочник MOSFET. AO8830

 

AO8830 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO8830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 972 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для AO8830

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO8830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  aosemi
 ao8830.pdf pdf_icon

AO8830

AO8830Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO8830/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 6 A (VGS = 10V)operation with gate voltages as low as 1.8V while RDS(ON)

Другие MOSFET... AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , AO8820 , AO8822 , AON7403 , AO9926B , AO9926C , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 , AOB11N60 , AOB11S60 .

History: AP6923GMT-HF | LSD65R180GT | CM9N20 | IXFH21N50Q | PHP79NQ08LT | 2SK1102-01MR | SI1413EDH

 

 
Back to Top

 


 
.