AO9926C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO9926C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO9926C

AO9926C Datasheet (PDF)

..1. Size:1145K aosemi
ao9926c.pdf

AO9926C20V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AO9926C uses advanced trench technology to 20V7.6Aprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=10V)with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V

8.1. Size:246K aosemi
ao9926b.pdf

AO9926B20V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO9926B uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=10V) 7.6Awith gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V RDS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

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