AO9926C Todos los transistores

 

AO9926C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO9926C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO9926C datasheet

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AO9926C

AO9926C 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AO9926C uses advanced trench technology to 20V 7.6A provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=10V) with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V

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AO9926C

AO9926B 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AO9926B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=10V) 7.6A with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , AO8820 , AO8822 , AO8830 , AO9926B , AON7403 , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 , AOB11N60 , AOB11S60 , AOB11S65 , AOB12N50 .

History: APM4220 | IRFSL4127PBF

 

 

 

 

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