AO9926C - описание и поиск аналогов

 

AO9926C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO9926C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для AO9926C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO9926C даташит

 ..1. Size:1145K  aosemi
 ao9926c.pdf pdf_icon

AO9926C

AO9926C 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AO9926C uses advanced trench technology to 20V 7.6A provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=10V) with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V

 8.1. Size:246K  aosemi
 ao9926b.pdf pdf_icon

AO9926C

AO9926B 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AO9926B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=10V) 7.6A with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , AO8820 , AO8822 , AO8830 , AO9926B , AON7403 , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 , AOB11N60 , AOB11S60 , AOB11S65 , AOB12N50 .

History: IRF8736TR | WMK05N105C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.