FSS9230D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSS9230D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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FSS9230D datasheet

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FSS9230D

FSS9230D, FSS9230R 4A, -200V, 1.60 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 4A, -200V, rDS(ON) = 1.60 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

 8.1. Size:45K  harris semi
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FSS9230D

FSS923AOD, S E M I C O N D U C T O R FSS923AOR Radiation Hardened, SEGR Resistant February 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Description 7A, -200V, rDS(ON) = 0.650 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductor has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOS

Otros transistores... FSS23AOD, FSS23AOR, FSS430D, FSS430R, FSS9130D, FSS9130R, FSS913AOD, FSS913AOR, IRFP250, FSS9230R, FSS923AOD, FSS923AOR, FSYA250D, FSYA250R, GFB50N03, GFB70N03, GFD30N03