FSS9230D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSS9230D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для FSS9230D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS9230D даташит

 7.1. Size:44K  intersil
 fss9230.pdf pdf_icon

FSS9230D

FSS9230D, FSS9230R 4A, -200V, 1.60 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 4A, -200V, rDS(ON) = 1.60 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

 8.1. Size:45K  harris semi
 fss923ao.pdf pdf_icon

FSS9230D

FSS923AOD, S E M I C O N D U C T O R FSS923AOR Radiation Hardened, SEGR Resistant February 1998 P-Channel Power MOSFETs Features Description 7A, -200V, rDS(ON) = 0.650 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductor has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOS

Другие IGBT... FSS23AOD, FSS23AOR, FSS430D, FSS430R, FSS9130D, FSS9130R, FSS913AOD, FSS913AOR, IRFP250, FSS9230R, FSS923AOD, FSS923AOR, FSYA250D, FSYA250R, GFB50N03, GFB70N03, GFD30N03