Справочник MOSFET. FSS9230D

 

FSS9230D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSS9230D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для FSS9230D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS9230D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:44K  intersil
 fss9230.pdf pdf_icon

FSS9230D

FSS9230D,FSS9230R4A, -200V, 1.60 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 4A, -200V, rDS(ON) = 1.60 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

 8.1. Size:45K  harris semi
 fss923ao.pdf pdf_icon

FSS9230D

FSS923AOD,S E M I C O N D U C T O RFSS923AORRadiation Hardened, SEGR ResistantFebruary 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 7A, -200V, rDS(ON) = 0.650 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductorhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military spaceapplications. Enhanced Power MOS

Другие MOSFET... FSS23AOD , FSS23AOR , FSS430D , FSS430R , FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , STF13NM60N , FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , FSYA250D , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 .

 

 
Back to Top

 


 
.