FSS923AOD Todos los transistores

 

FSS923AOD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSS923AOD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

FSS923AOD Datasheet (PDF)

 6.1. Size:45K  harris semi
 fss923ao.pdf pdf_icon

FSS923AOD

FSS923AOD,S E M I C O N D U C T O RFSS923AORRadiation Hardened, SEGR ResistantFebruary 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 7A, -200V, rDS(ON) = 0.650 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductorhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military spaceapplications. Enhanced Power MOS

 8.1. Size:44K  intersil
 fss9230.pdf pdf_icon

FSS923AOD

FSS9230D,FSS9230R4A, -200V, 1.60 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 4A, -200V, rDS(ON) = 1.60 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

Otros transistores... FSS430D , FSS430R , FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , STF13NM60N , FSS923AOR , FSYA250D , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , GFP50N03 , GFP70N03 .

History: IRFB4137PBF | SST70R190S3

 

 
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