Справочник MOSFET. FSS923AOD

 

FSS923AOD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSS923AOD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FSS923AOD Datasheet (PDF)

 6.1. Size:45K  harris semi
 fss923ao.pdf pdf_icon

FSS923AOD

FSS923AOD,S E M I C O N D U C T O RFSS923AORRadiation Hardened, SEGR ResistantFebruary 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 7A, -200V, rDS(ON) = 0.650 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductorhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military spaceapplications. Enhanced Power MOS

 8.1. Size:44K  intersil
 fss9230.pdf pdf_icon

FSS923AOD

FSS9230D,FSS9230R4A, -200V, 1.60 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 4A, -200V, rDS(ON) = 1.60 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

Другие MOSFET... FSS430D , FSS430R , FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , STF13NM60N , FSS923AOR , FSYA250D , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , GFP50N03 , GFP70N03 .

History: RT1A045AP | FIR2N65AFG | SI3453DV | ELM34406AA-N | SML80J28 | STW75NF30 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.