FSS923AOD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FSS923AOD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
Аналог (замена) для FSS923AOD
FSS923AOD Datasheet (PDF)
fss923ao.pdf

FSS923AOD,S E M I C O N D U C T O RFSS923AORRadiation Hardened, SEGR ResistantFebruary 1998 P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 7A, -200V, rDS(ON) = 0.650 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductorhas developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military spaceapplications. Enhanced Power MOS
fss9230.pdf

FSS9230D,FSS9230R4A, -200V, 1.60 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 4A, -200V, rDS(ON) = 1.60 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD
Другие MOSFET... FSS430D , FSS430R , FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , AO3401 , FSS923AOR , FSYA250D , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , GFP50N03 , GFP70N03 .
History: CS9N95F | HAT3031R | AOTF10N50FD | QM3006U | AOTF10N65 | NTB6410ANG | AFN5800
History: CS9N95F | HAT3031R | AOTF10N50FD | QM3006U | AOTF10N65 | NTB6410ANG | AFN5800



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050