AOB409L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOB409L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de AOB409L MOSFET
AOB409L Datasheet (PDF)
aob409l.pdf

AOB409L60V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-60VThe AOB409L combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -31.5Aextremely low RDS(ON).This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=-10V)
aob409l.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor AOB409LFEATURESDrain Current I = -31.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 38m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andge
Otros transistores... AOB288L , AOB290L , AOB2910L , AOB2918L , AOB292L , AOB296L , AOB298L , AOB29S50 , 5N60 , AOB410L , AOB411L , AOB412L , AOB414 , AOB416 , AOB4184 , AOB418L , AOB42S60 .
History: SI7483ADP | PP1C06AKB | SI7469DP | SVG105R4NKL | STZ150NF55T | PJU4NA60 | AP65SL130DP
History: SI7483ADP | PP1C06AKB | SI7469DP | SVG105R4NKL | STZ150NF55T | PJU4NA60 | AP65SL130DP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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