Справочник MOSFET. AOB409L

 

AOB409L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOB409L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для AOB409L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB409L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  aosemi
 aob409l.pdf pdf_icon

AOB409L

AOB409L60V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-60VThe AOB409L combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -31.5Aextremely low RDS(ON).This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:237K  inchange semiconductor
 aob409l.pdf pdf_icon

AOB409L

isc P-Channel MOSFET Transistor AOB409LFEATURESDrain Current I = -31.5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 38m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andge

Другие MOSFET... AOB288L , AOB290L , AOB2910L , AOB2918L , AOB292L , AOB296L , AOB298L , AOB29S50 , 5N60 , AOB410L , AOB411L , AOB412L , AOB414 , AOB416 , AOB4184 , AOB418L , AOB42S60 .

 

 
Back to Top

 


 
.