FSYA250D Todos los transistores

 

FSYA250D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSYA250D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 27 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: SMD1

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FSYA250D Datasheet (PDF)

3.1. fsya250.pdf Size:54K _intersil

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FSYA250D, FSYA250R 27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description • 27A, 200V, rDS(ON) = 0.100Ω The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- • Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA

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