FSYA250D Todos los transistores

 

FSYA250D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSYA250D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1
 

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FSYA250D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:54K  intersil
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FSYA250D

FSYA250D,FSYA250R27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 27A, 200V, rDS(ON) = 0.100 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA

Otros transistores... FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , 10N65 , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , GFP50N03 , GFP70N03 , H5N2001LD , H5N2001LS .

 

 
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