FSYA250D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSYA250D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SMD1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FSYA250D
Principales características: FSYA250D
fsya250.pdf
FSYA250D, FSYA250R 27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 27A, 200V, rDS(ON) = 0.100 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA
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Liste
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