FSYA250D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSYA250D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 27 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Empaquetado / Estuche: SMD1
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FSYA250D Datasheet (PDF)
3.1. fsya250.pdf 
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FSYA250D, FSYA250R 27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description • 27A, 200V, rDS(ON) = 0.100Ω The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- • Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA
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