FSYA250D - описание и поиск аналогов

 

FSYA250D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSYA250D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для FSYA250D

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSYA250D даташит

 7.1. Size:54K  intersil
 fsya250.pdf pdf_icon

FSYA250D

FSYA250D, FSYA250R 27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 27A, 200V, rDS(ON) = 0.100 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA

Другие MOSFET... FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , 5N60 , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , GFP50N03 , GFP70N03 , H5N2001LD , H5N2001LS .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.