Справочник MOSFET. FSYA250D

 

FSYA250D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSYA250D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
 

 Аналог (замена) для FSYA250D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSYA250D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:54K  intersil
 fsya250.pdf pdf_icon

FSYA250D

FSYA250D,FSYA250R27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 27A, 200V, rDS(ON) = 0.100 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA

Другие MOSFET... FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , 13N50 , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , GFP50N03 , GFP70N03 , H5N2001LD , H5N2001LS .

 

 
Back to Top

 


 
.