FSYA250D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FSYA250D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: SMD1
FSYA250D Datasheet (PDF)
3.1. fsya250.pdf 
Size:54K _intersil
FSYA250D, FSYA250R 27A, 200V, 0.100 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description • 27A, 200V, rDS(ON) = 0.100Ω The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- • Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA
Другие MOSFET... FSS9130D , FSS9130R , FSS913AOD , FSS913AOR , FSS9230D , FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , IRF5210 , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , GFD30N03 , GFP50N03 , GFP70N03 , H5N2001LD , H5N2001LS .
