AOC4810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOC4810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: ALPHADFN3.2X2-8-TEP1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOC4810

AOC4810 Datasheet (PDF)

..1. Size:304K aosemi
aoc4810.pdf

AOC481030V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVss 30VThe AOC4810 uses advanced trench technology to provide IS (at VGS=10V) 8Aexcellent RSS(ON), low gate charge and operation with gatevoltages as low as 4.5V while retaining a 20V VGS(MAX) rating. It RSS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

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