AOC4810 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AOC4810
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
Тип корпуса: ALPHADFN3.2X2-8-TEP1
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AOC4810 Datasheet (PDF)
aoc4810.pdf

AOC481030V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVss 30VThe AOC4810 uses advanced trench technology to provide IS (at VGS=10V) 8Aexcellent RSS(ON), low gate charge and operation with gatevoltages as low as 4.5V while retaining a 20V VGS(MAX) rating. It RSS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AOC2417 , AOC2421 , AOC2422 , AOC2423 , AOC2800 , AOC2802 , AOC2804 , AOC2806 , K2611 , AOD11S60 , AOD1N60 , AOD200 , AOD208 , AOD210 , AOD2210 , AOD240 , AOD242 .
History: IXTP50N28T | 3SK249
History: IXTP50N28T | 3SK249



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor