Справочник MOSFET. AOC4810

 

AOC4810 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOC4810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: ALPHADFN3.2X2-8-TEP1
 

 Аналог (замена) для AOC4810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOC4810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  aosemi
 aoc4810.pdf pdf_icon

AOC4810

AOC481030V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVss 30VThe AOC4810 uses advanced trench technology to provide IS (at VGS=10V) 8Aexcellent RSS(ON), low gate charge and operation with gatevoltages as low as 4.5V while retaining a 20V VGS(MAX) rating. It RSS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOC2417 , AOC2421 , AOC2422 , AOC2423 , AOC2800 , AOC2802 , AOC2804 , AOC2806 , 2N60 , AOD11S60 , AOD1N60 , AOD200 , AOD208 , AOD210 , AOD2210 , AOD240 , AOD242 .

History: INK0112AU1 | RT1C060UN | BRGN250N65YK | JCS7HN60R | SM6F24NSFP | SFW9624 | APTM100DA18CT1G

 

 
Back to Top

 


 
.