AOD2210 Todos los transistores

 

AOD2210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD2210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AOD2210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  aosemi
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AOD2210

AOD2210/AOI2210200V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 200V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 18A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:845K  cn vbsemi
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AOD2210

AOD2210www.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 ..3. Size:265K  inchange semiconductor
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AOD2210

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD2210FEATURESDrain Current I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 105m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Otros transistores... AOC2804 , AOC2806 , AOC4810 , AOD11S60 , AOD1N60 , AOD200 , AOD208 , AOD210 , K2611 , AOD240 , AOD242 , AOD254 , AOD2544 , AOD256 , AOD2606 , AOD2610 , AOD2810 .

History: UPA2706GR | IRF7456PBF-1 | HSP3105 | 3SK300 | NVBLS1D1N08H | SFB083N80CC2 | STF5N80K5

 

 
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