Справочник MOSFET. AOD2210

 

AOD2210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD2210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD2210

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD2210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  aosemi
 aod2210.pdf pdf_icon

AOD2210

AOD2210/AOI2210200V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 200V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 18A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:845K  cn vbsemi
 aod2210.pdf pdf_icon

AOD2210

AOD2210www.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 ..3. Size:265K  inchange semiconductor
 aod2210.pdf pdf_icon

AOD2210

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD2210FEATURESDrain Current I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 105m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... AOC2804 , AOC2806 , AOC4810 , AOD11S60 , AOD1N60 , AOD200 , AOD208 , AOD210 , K2611 , AOD240 , AOD242 , AOD254 , AOD2544 , AOD256 , AOD2606 , AOD2610 , AOD2810 .

History: SI1024X

 

 
Back to Top

 


 
.