AOD4T60 Todos los transistores

 

AOD4T60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD4T60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AOD4T60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  aosemi
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AOD4T60

AOD4T60/AOI4T60600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOD4T60 & AOI4T60 are fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed IDM 16Ato deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON),max

 0.1. Size:498K  aosemi
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AOD4T60

AOD4T60P/AOI4T60P600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 16A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

Otros transistores... AOD484 , AOD486A , AOD492 , AOD496 , AOD496A , AOD498 , AOD4N60 , AOD4S60 , IRLB4132 , AOD4T60P , AOD502 , AOD504 , AOD508 , AOD510 , AOD514 , AOD516 , AOD526 .

History: IPB048N06LG | IPB042N10N3G | AOD4146 | 2SK134 | AP4417GH | SWD20N20D | SE100250GTS

 

 
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