AOD4T60 Todos los transistores

 

AOD4T60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD4T60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOD4T60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  aosemi
 aod4t60.pdf pdf_icon

AOD4T60

AOD4T60/AOI4T60600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOD4T60 & AOI4T60 are fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed IDM 16Ato deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON),max

 0.1. Size:498K  aosemi
 aod4t60p.pdf pdf_icon

AOD4T60

AOD4T60P/AOI4T60P600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 16A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IPB60R190C6 | NCE65N260F | FCH20N60 | VBZE50P03

 

 
Back to Top

 


 
.