AOD4T60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOD4T60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 22 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.1 Ohm
Тип корпуса: TO-252
AOD4T60 Datasheet (PDF)
..1. Size:286K aosemi
aod4t60.pdf
aod4t60.pdf
AOD4T60/AOI4T60600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOD4T60 & AOI4T60 are fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed IDM 16Ato deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON),max
0.1. Size:498K aosemi
aod4t60p.pdf
aod4t60p.pdf
AOD4T60P/AOI4T60P600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 16A Low Ciss and Crss RDS(ON),max
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
