AOD4T60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOD4T60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOD4T60P

AOD4T60P Datasheet (PDF)

..1. Size:498K aosemi
aod4t60p.pdf

AOD4T60P/AOI4T60P600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 16A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

7.1. Size:286K aosemi
aod4t60.pdf

AOD4T60/AOI4T60600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOD4T60 & AOI4T60 are fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed IDM 16Ato deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON),max

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Liste

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