AOD4T60P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD4T60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Encapsulados: TO-252
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AOD4T60P datasheet
aod4t60p.pdf
AOD4T60P/AOI4T60P 600V,4A N-Channel MOSFET General Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 16A Low Ciss and Crss RDS(ON),max
aod4t60.pdf
AOD4T60/AOI4T60 600V,4A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOD4T60 & AOI4T60 are fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed IDM 16A to deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON),max
Otros transistores... AOD486A , AOD492 , AOD496 , AOD496A , AOD498 , AOD4N60 , AOD4S60 , AOD4T60 , NCEP15T14 , AOD502 , AOD504 , AOD508 , AOD510 , AOD514 , AOD516 , AOD526 , AOD528 .
History: SE80130G
History: SE80130G
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