Справочник MOSFET. AOD4T60P

 

AOD4T60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD4T60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD4T60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD4T60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  aosemi
 aod4t60p.pdf pdf_icon

AOD4T60P

AOD4T60P/AOI4T60P600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 16A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.1. Size:286K  aosemi
 aod4t60.pdf pdf_icon

AOD4T60P

AOD4T60/AOI4T60600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOD4T60 & AOI4T60 are fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed IDM 16Ato deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOD486A , AOD492 , AOD496 , AOD496A , AOD498 , AOD4N60 , AOD4S60 , AOD4T60 , IRFP450 , AOD502 , AOD504 , AOD508 , AOD510 , AOD514 , AOD516 , AOD526 , AOD528 .

History: DMN53D0LDW | GP1M003A090XX | NCE65NF099T | BUK457-400A

 

 
Back to Top

 


 
.