AOD4T60P - описание и поиск аналогов

 

AOD4T60P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD4T60P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AOD4T60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD4T60P даташит

 ..1. Size:498K  aosemi
 aod4t60p.pdf pdf_icon

AOD4T60P

AOD4T60P/AOI4T60P 600V,4A N-Channel MOSFET General Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 16A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.1. Size:286K  aosemi
 aod4t60.pdf pdf_icon

AOD4T60P

AOD4T60/AOI4T60 600V,4A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOD4T60 & AOI4T60 are fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed IDM 16A to deliver high levels of performance and robustness in RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOD486A , AOD492 , AOD496 , AOD496A , AOD498 , AOD4N60 , AOD4S60 , AOD4T60 , NCEP15T14 , AOD502 , AOD504 , AOD508 , AOD510 , AOD514 , AOD516 , AOD526 , AOD528 .

History: MTP10N10M | 2SK2637

 

 

 

 

↑ Back to Top
.