AOD6N50 Todos los transistores

 

AOD6N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD6N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AOD6N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  aosemi
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AOD6N50

AOD6N50500V,5.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD6N50 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high VDS 600V@150levels of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 5.3Aapplications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: AOD2904 | IXTQ86N25T

 

 
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