AOD6N50 Todos los transistores

 

AOD6N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOD6N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de AOD6N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOD6N50 datasheet

 ..1. Size:489K  aosemi
 aod6n50.pdf pdf_icon

AOD6N50

AOD6N50 500V,5.3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD6N50 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high VDS 600V@150 levels of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 5.3A applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOD536 , AOD538 , AOD5N40 , AOD5N50 , AOD5T40P , AOD603A , AOD607 , AOD609 , 20N50 , AOD7N60 , AOD7N65 , AOD7S60 , AOD7S65 , AOD8N25 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.