Справочник MOSFET. AOD6N50

 

AOD6N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD6N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD6N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD6N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  aosemi
 aod6n50.pdf pdf_icon

AOD6N50

AOD6N50500V,5.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD6N50 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high VDS 600V@150levels of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 5.3Aapplications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOD536 , AOD538 , AOD5N40 , AOD5N50 , AOD5T40P , AOD603A , AOD607 , AOD609 , 2N60 , AOD7N60 , AOD7N65 , AOD7S60 , AOD7S65 , AOD8N25 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 .

History: APT34M60B

 

 
Back to Top

 


 
.