AOD6N50 - описание и поиск аналогов

 

AOD6N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD6N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AOD6N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD6N50 даташит

 ..1. Size:489K  aosemi
 aod6n50.pdf pdf_icon

AOD6N50

AOD6N50 500V,5.3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD6N50 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high VDS 600V@150 levels of performance and robustness in popular AC-DC ID (at VGS=10V) 5.3A applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOD536 , AOD538 , AOD5N40 , AOD5N50 , AOD5T40P , AOD603A , AOD607 , AOD609 , 20N50 , AOD7N60 , AOD7N65 , AOD7S60 , AOD7S65 , AOD8N25 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.