AOH3110 Todos los transistores

 

AOH3110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOH3110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: SOT223

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AOH3110 datasheet

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AOH3110

AOH3110 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AOH3110 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 1.0A extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:243K  aosemi
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AOH3110

AOH3106 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AOH3106 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 2A extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOD7S60 , AOD7S65 , AOD8N25 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , AOH3106 , STP65NF06 , AOI11S60 , AOI1N60 , AOI208 , AOI2210 , AOI2N60 , AOI2N60A , AOI403 , AOI409 .

History: MTP5N35

 

 

 

 

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