AOH3110 Todos los transistores

 

AOH3110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOH3110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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AOH3110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  aosemi
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AOH3110

AOH3110100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3110 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 1.0Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:243K  aosemi
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AOH3110

AOH3106100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3106 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 2Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOD7S60 , AOD7S65 , AOD8N25 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , AOH3106 , IRFZ48N , AOI11S60 , AOI1N60 , AOI208 , AOI2210 , AOI2N60 , AOI2N60A , AOI403 , AOI409 .

History: 2SK1016-01 | RJK6013DPE | AP4P018M | 2SK1023 | P0603BEAD | SQ2351ES | RFP12N10

 

 
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