AOH3110 Todos los transistores

 

AOH3110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOH3110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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AOH3110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  aosemi
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AOH3110

AOH3110100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3110 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 1.0Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:243K  aosemi
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AOH3110

AOH3106100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3106 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 2Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

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