Справочник MOSFET. AOH3110

 

AOH3110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOH3110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для AOH3110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOH3110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  aosemi
 aoh3110.pdf pdf_icon

AOH3110

AOH3110100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3110 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 1.0Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:243K  aosemi
 aoh3106.pdf pdf_icon

AOH3110

AOH3106100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3106 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 2Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOD7S60 , AOD7S65 , AOD8N25 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , AOH3106 , IRFZ48N , AOI11S60 , AOI1N60 , AOI208 , AOI2210 , AOI2N60 , AOI2N60A , AOI403 , AOI409 .

History: HSS3400A | SSM4500GM | DH60N06 | AON7532E | NVD5117PL | SI2301CDS

 

 
Back to Top

 


 
.