AOH3110 - описание и поиск аналогов

 

AOH3110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOH3110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для AOH3110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOH3110 даташит

 ..1. Size:259K  aosemi
 aoh3110.pdf pdf_icon

AOH3110

AOH3110 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AOH3110 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 1.0A extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:243K  aosemi
 aoh3106.pdf pdf_icon

AOH3110

AOH3106 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AOH3106 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 2A extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOD7S60 , AOD7S65 , AOD8N25 , AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , AOH3106 , STP65NF06 , AOI11S60 , AOI1N60 , AOI208 , AOI2210 , AOI2N60 , AOI2N60A , AOI403 , AOI409 .

History: FQU10N20 | SMG2342N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.