AOH3110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOH3110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 13 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.7 Ohm
Тип корпуса: SOT223
AOH3110 Datasheet (PDF)
aoh3110.pdf
AOH3110100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3110 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 1.0Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
aoh3106.pdf
AOH3106100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOH3106 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 2Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
