AOI208 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOI208
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251A
Búsqueda de reemplazo de AOI208 MOSFET
AOI208 Datasheet (PDF)
aoi208.pdf

AOD208/AOI20830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AOD208/AOI208 uses Trench MOSFET technologythat is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 54Afrequency switching performance. Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)
aoi208.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI208FEATURESDrain Current I =54A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.4m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a
Otros transistores... AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , AOH3106 , AOH3110 , AOI11S60 , AOI1N60 , RU7088R , AOI2210 , AOI2N60 , AOI2N60A , AOI403 , AOI409 , AOI4102 , AOI4126 , AOI4130 .
History: FMI13N60E | 2N5640 | DM10N65C-2
History: FMI13N60E | 2N5640 | DM10N65C-2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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