AOI208 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOI208
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOI208

AOI208 Datasheet (PDF)

..1. Size:337K aosemi
aoi208.pdf

AOD208/AOI20830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AOD208/AOI208 uses Trench MOSFET technologythat is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 54Afrequency switching performance. Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:273K inchange semiconductor
aoi208.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI208FEATURESDrain Current I =54A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.4m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: