AOI208 - описание и поиск аналогов

 

AOI208. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOI208

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm

Тип корпуса: TO-251A

Аналог (замена) для AOI208

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI208 даташит

 ..1. Size:337K  aosemi
 aoi208.pdf pdf_icon

AOI208

AOD208/AOI208 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AOD208/AOI208 uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 54A frequency switching performance. Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:273K  inchange semiconductor
 aoi208.pdf pdf_icon

AOI208

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI208 FEATURES Drain Current I =54A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.4m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a

Другие MOSFET... AOD9N40 , AOD9N50 , AOD9N52 , AOD9T40P , AOH3106 , AOH3110 , AOI11S60 , AOI1N60 , IRFZ48N , AOI2210 , AOI2N60 , AOI2N60A , AOI403 , AOI409 , AOI4102 , AOI4126 , AOI4130 .

History: HM1N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.