AOI530 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOI530
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1330 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
Encapsulados: TO-251A
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AOI530 datasheet
aoi530.pdf
AOI530 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aod538 aoi538.pdf
AOD538/AOI538 30V N-Channel MOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aoi538.pdf
AOD538/AOI538 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aoi538.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOI538 FEATURES Drain Current I = 70A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.1m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
Otros transistores... AOI4N60 , AOI4S60 , AOI4T60 , AOI4T60P , AOI508 , AOI510 , AOI514 , AOI516 , IRF1404 , AOI538 , AOI5N40 , AOI7N60 , AOI7N65 , AOI7S65 , AOI8N25 , AOI9N50 , AOK10N90 .
History: HM4805A | AP6N3R5LIN | KP785A | HM4822
History: HM4805A | AP6N3R5LIN | KP785A | HM4822
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