AOI530 Todos los transistores

 

AOI530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOI530
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251A
 

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AOI530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  aosemi
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AOI530

AOI53030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:308K  aosemi
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AOI530

AOD538/AOI53830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:274K  inchange semiconductor
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AOI530

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI538FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.1m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

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History: DMJ70H600SH3 | OSG60R2K8DF | DMJ70H900HJ3 | SFI9Z24 | WSP4068 | OSG65R380DEF | JCS4N60FB

 

 
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