AOI530 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOI530 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOI530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
 

 Аналог (замена) для AOI530

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  aosemi
 aoi530.pdf pdf_icon

AOI530

AOI53030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:308K  aosemi
 aoi538.pdf pdf_icon

AOI530

AOD538/AOI53830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:274K  inchange semiconductor
 aoi538.pdf pdf_icon

AOI530

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI538FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.1m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... AOI4N60 , AOI4S60 , AOI4T60 , AOI4T60P , AOI508 , AOI510 , AOI514 , AOI516 , IRF1404 , AOI538 , AOI5N40 , AOI7N60 , AOI7N65 , AOI7S65 , AOI8N25 , AOI9N50 , AOK10N90 .

History: WMB032N04LG2 | SVSP7N70FD2 | PSMN013-100YSE | 2SK4066-1E | FDS9926A | WMB023N03LG2 | 4N70KL-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.