AOI538 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOI538
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 915 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOI538

AOI538 Datasheet (PDF)

..1. Size:308K aosemi
aoi538.pdf

AOD538/AOI53830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:274K inchange semiconductor
aoi538.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI538FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.1m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

9.1. Size:283K aosemi
aoi530.pdf

AOI53030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: