Справочник MOSFET. AOI538

 

AOI538 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI538
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 915 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
 

 Аналог (замена) для AOI538

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI538 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:308K  aosemi
 aoi538.pdf pdf_icon

AOI538

AOD538/AOI53830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:274K  inchange semiconductor
 aoi538.pdf pdf_icon

AOI538

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI538FEATURESDrain Current I = 70A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.1m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 9.1. Size:283K  aosemi
 aoi530.pdf pdf_icon

AOI538

AOI53030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOI4S60 , AOI4T60 , AOI4T60P , AOI508 , AOI510 , AOI514 , AOI516 , AOI530 , IRFP260N , AOI5N40 , AOI7N60 , AOI7N65 , AOI7S65 , AOI8N25 , AOI9N50 , AOK10N90 , AOK18N65 .

History: SVT044R5NT | ME6874-G | HMS75N65T | RQ6E035AT | CHM5813ESQ2GP | SI1488DH

 

 
Back to Top

 


 
.