AOI7N60 Todos los transistores

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AOI7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOI7N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 178 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 37 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 88 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-251A

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AOI7N60 Datasheet (PDF)

1.1. aoi7n60.pdf Size:387K _aosemi

AOI7N60
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AOD7N60/AOI7N60 600V,7A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD7N60 & AOI7N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 700V@150℃ to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 7A popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V) < 1.3Ω By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with

4.1. aoi7n65.pdf Size:461K _aosemi

AOI7N60
AOI7N60

AOD7N65/AOI7N65 650V,7A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD7N65 & AOI7N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 750V@150℃ to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 7A popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V) < 1.56Ω By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with

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