AOK10N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOK10N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 403 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOK10N90

AOK10N90 Datasheet (PDF)

..1. Size:292K aosemi
aok10n90.pdf

AOK10N90900V,10A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS1000@150The AOK10N90 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 10Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:377K inchange semiconductor
aok10n90.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK10N90FEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.98(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

9.1. Size:719K aosemi
aok10b60d.pdf

AOK10B60DTM600V, 10A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 10Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.53Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance t

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Liste

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