AOK29S50 Todos los transistores

 

AOK29S50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOK29S50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de AOK29S50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOK29S50 datasheet

 ..1. Size:287K  aosemi
 aok29s50.pdf pdf_icon

AOK29S50

AOK29S50 TM 500V 29A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 600V The AOK29S50 has been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 120A high levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.15 applications. Qg,typ 26.6nC By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eoss @ 400V

 ..2. Size:378K  inchange semiconductor
 aok29s50.pdf pdf_icon

AOK29S50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK29S50 FEATURES Drain Current I = 29A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.15 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Otros transistores... AOI8N25 , AOI9N50 , AOK10N90 , AOK18N65 , AOK20N60 , AOK20S60 , AOK22N50 , AOK27S60 , 7N65 , AOK40N30 , AOK42S60 , AOK53S60 , AOK5N100 , AOK60N30 , AOK8N80 , AOK9N90 , AOL1202 .

History: SUM90N03-2M2P | KP780B9

 

 

 

 

↑ Back to Top
.