AOK29S50 - описание и поиск аналогов

 

AOK29S50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOK29S50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для AOK29S50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK29S50 даташит

 ..1. Size:287K  aosemi
 aok29s50.pdf pdf_icon

AOK29S50

AOK29S50 TM 500V 29A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 600V The AOK29S50 has been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 120A high levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.15 applications. Qg,typ 26.6nC By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eoss @ 400V

 ..2. Size:378K  inchange semiconductor
 aok29s50.pdf pdf_icon

AOK29S50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK29S50 FEATURES Drain Current I = 29A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.15 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... AOI8N25 , AOI9N50 , AOK10N90 , AOK18N65 , AOK20N60 , AOK20S60 , AOK22N50 , AOK27S60 , 7N65 , AOK40N30 , AOK42S60 , AOK53S60 , AOK5N100 , AOK60N30 , AOK8N80 , AOK9N90 , AOL1202 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.