AOK29S50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOK29S50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 29 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 26.6 nC
Время нарастания (tr): 39 ns
Выходная емкость (Cd): 88 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO-247
AOK29S50 Datasheet (PDF)
aok29s50.pdf
AOK29S50TM500V 29A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 600VThe AOK29S50 has been fabricated using the advancedMOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 120Ahigh levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.15applications. Qg,typ 26.6nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eoss @ 400V
aok29s50.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOK29S50FEATURESDrain Current I = 29A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.15(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
