AOK5N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOK5N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Encapsulados: TO-247
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AOK5N100 datasheet
aok5n100.pdf
AOK5N100 1000V,4A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 1100@150 The AOK5N100 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 4A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)
aok5n100.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOK5N100 FEATURES Drain Current I = 4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 1000V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.2 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
Otros transistores... AOK20N60 , AOK20S60 , AOK22N50 , AOK27S60 , AOK29S50 , AOK40N30 , AOK42S60 , AOK53S60 , AON7408 , AOK60N30 , AOK8N80 , AOK9N90 , AOL1202 , AOL1208 , AOL1240 , AOL1242 , AOL1401 .
History: LSG65R950HT | AS3442
History: LSG65R950HT | AS3442
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Liste
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