AOK5N100 Todos los transistores

 

AOK5N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOK5N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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AOK5N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  aosemi
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AOK5N100

AOK5N1001000V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS1100@150The AOK5N100 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 4Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:377K  inchange semiconductor
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AOK5N100

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK5N100FEATURESDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1000V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.2(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

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History: IXFH16N90Q | HCA60R290 | AOT25S65 | OSG65R140FSZF | JCS19N20F | SVS5N65FD2 | IXTP02N120P

 

 
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