Справочник MOSFET. AOK5N100

 

AOK5N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOK5N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для AOK5N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK5N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  aosemi
 aok5n100.pdf pdf_icon

AOK5N100

AOK5N1001000V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS1100@150The AOK5N100 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 4Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:377K  inchange semiconductor
 aok5n100.pdf pdf_icon

AOK5N100

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK5N100FEATURESDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 1000V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.2(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... AOK20N60 , AOK20S60 , AOK22N50 , AOK27S60 , AOK29S50 , AOK40N30 , AOK42S60 , AOK53S60 , IRFP260 , AOK60N30 , AOK8N80 , AOK9N90 , AOL1202 , AOL1208 , AOL1240 , AOL1242 , AOL1401 .

History: AON6400

 

 
Back to Top

 


 
.